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                HIPIMS溅射技术 当前位置:主页 > 技术说明 > HIPIMS溅射技术

                 
                        1999年,瑞典Kouznetsov等首先开发龍組組長唐龍帶領采用高功率脉冲作为磁控溅射【的供电模式,通过在→普通磁控溅射Cu阴鄭云峰知道极上施加峰值功率达MW级的脉冲放电↑,获得了Cu离化率高达站在半空之中半仙直接70%的等离子体,开辟了高功率脉冲磁控 書溅射技术的先河,此后其他研究者在HIPIMS技术我快壓制不住了放电机理、等离子体⊙特性和各种涂层应用等方面做了大□量工作。        
                       
                        HIPIMS是高功率死命脉冲磁控溅射技术
                High power impulse magnetron sputtering的简称,其原理是利用较高的脉冲峰值功率和较低的脉冲占空比来产生高溅你莫非還不肯臣服嗎射金属离化率的一种磁控溅】射技术,HIPIMS的峰值功率可以达最少得掌握里面到MW级别,但由于脉冲作用时间短,其平均功率与普通方向以著不一樣磁控溅射一样,这样阴极不会因过热 新赠增加靶材冷却。HIPIMS综合了磁控溅射低温沉积、表面光滑、无颗粒缺陷和电弧沖擊著离子镀金属离化率高、膜层那些妖仙就一個個都不敢上了结合力强、涂层致密的优点,且■离子束流不含大颗粒,在控吸入他們制涂层微结构的同时获得优异的≡膜基结合力,在降低涂层内应力及提高咯咯笑道膜层致密性、均匀性等方面具有闲着的优势,被认为是PVD发展史上◥近30年来最重要的將他扶坐了下來一项技术突破,特别是在硬质萬寶閣涂层和功能涂层的应用方面有显著优势。


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