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                技术说明

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                GIS气体离子★源 当前位置:主页 > 技术说明 > GIS气体【离子源
                   磁控溅射是一种理想的金你給我出來属蒸发靶源:放电工作↘稳定、沉积速率易控、镀膜均匀好。但是,在进行∑化学反应性镀膜(TiN、TiO2)时,通入的「反应性气体,会造成磁控靶面的毒化(化学反应),蒸发速率的急剧降低←…等一系列雪崩式后果,造成磁控溅射反应镀膜极大的●不稳定性和不可瘋狂控性╲,为了解决这一问题,北京丹普表面技术有〒限公司开发出矩形气体离子看來它蛻變所需要源(GIS)。
                 
                  GIS的优点
                 
                  ● 无灯丝、无空心☆阴极、无热阴极、无栅极,气体离子源上不产生金属溅射污染;适用于任何惰性和反应性气体,以及※它们的混合气;
                  ● 结构简单,绝缘性好、使用寿命长、很少维护需↘要;
                  ● 矩形结构,与矩形磁控溅射源尺寸完全匹配,并向真空室镀膜区域均匀布一個是離開這里气;
                  ● 在磁控溅射的真空范Ψ 围内,离子源能够正常稳定放电工作;离子源需要进气量符合磁控溅射源的工作条件;
                  ● 端法兰结构密封,方便安装。360度任意调〓整布气方向。
                 
                  GIS技术的应用
                 
                  1、GIMS-TiN(1微ζ 米以上的厚TiN膜),再镀Au(合金)或◇玫瑰金等(高档IPG)。单炉是有一事想和掌教商量一次性完成;
                  2、GIMS-SS+TiN(厚膜),再镀Au(合金)或玫瑰金等(单炉一次性完成)。然后,再进行部分掩膜退去︽外层的TiN层和金层,实现白和金色的双色效果;
                  3、通入Ar气GIS放电,实现Ar离子的轰击清洗功能---等离子体∩处理(清洗),代替了卫浴洁具电镀工件的水质超声清▅洗功能。实现了绿色环保技术要求;
                  4、对半导体集成电路表面进行GIS-Ar离①子轰击清洗,加他正一臉笑瞇瞇强塑料封装外壳表面金属化的膜层结合力。
                 
                  
                延伸阅读:气体离子源增强磁控溅射反应镀膜技术(GIMS)

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